阅读设置
01

样品与前置条件

  1. 制备平整、低损伤且适合背散射成像的表面，记录最终抛光条件。
  2. 标记同区域 EBSD 与 ECCI 的坐标，避免定位误差。
  3. 准备参考区域并检查污染、充电、划痕与形貌起伏。
02

建议工作流

  1. 用 EBSD 或电子通道花样确定晶体取向与候选反射。
  2. 调整倾转和旋转到选定通道条件，记录束能、束流、工作距离与探测器。
  3. 以小角度改变条件，比较缺陷衬度与表面形貌的变化。
  4. 保存可重定位的多条件图像，建立位错、边界与滑移带的对应。
  5. 在多个晶粒和视场统计；需要唯一 b 或核心信息时补充 TEM。
  6. 报告有效观察深度的条件依赖和未识别线状结构。
03

结果怎么解释

  1. 近表面线网络可以支持位错胞或平面滑移讨论，但需要衍射条件验证。
  2. 不同晶粒亮暗不能直接比较为不同位错密度。
  3. 将 ECCI 构型与 HR-EBSD 曲率对应，可检验统计抵消与分辨率影响。
04

局限与常见误区

  1. 表面损伤与取向条件敏感。
  2. 不同方向和深度的位错可见性不同。
  3. 不是所有样品都能在常规 SEM 设置下获得可解释的位错衬度。

标准与权威来源

请在正式试验前核对适用产品标准、设备 SOP 和标准的现行版本。